研究范畴
IGBT作为一种新型电力电子器件，是工业控制及自动化领域核心元器件，可根据工业装置中信号指令来调节电路中电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控目的，因此被称为电力电子行业里的“CPU”。
核心价值
IGBT（InsulatedGateBipolar）绝缘栅双极型晶体管，由金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）组成，IGBT综合了以上两种器件优点，驱动功率小而饱和压降低。
市场规模
全球IGBT市场规模有望突破80亿美元。根据Yole数据，全球IGBT市场有望于2026年达84亿美元，其中工业应用与家电占比最大，合计51.19%，电动汽车与充电桩增速最快，2020-2026年CAGR超20%。
竞争格局
英飞凌稳居IGBT榜首，中国厂商市占率合计低于10%。英飞凌多年稳居IGBT各细分类别榜首地位，2020年其IGBT各领域全球市场率超过30%，中国龙头斯达半导体、士兰微等进入全球前十，市占率合计不及10%。
趋势洞察
IGBT工艺与设计难度形成较高行业壁垒。自80年代初至今，IGBT芯片技术处于技术更新迭代阶段，但实现技术的突破对工艺有较高要求，如薄片减薄后极易破碎，背面退火激活难等，皆导致IGBT迭代速度慢。历经七代，IGBT功率密度与开关频率逐代提高，导通压降下降，开关损耗降低，芯片尺寸更小。