事件：
当地时间3月8日，荷兰政府公告拟对华限制出口DUV光刻等技术并于夏季前实施。ASML官网回应称，新出口管制主要针对先进制造技术，不涉及所有浸没式光刻工具，只针对“最先进”设备（尚无明确定义），目前ASML将其理解为TWINSCANNXT:2000i及之后的浸没式设备。并强调！成熟制程客户可以使用不太先进的浸没式工具
成熟制程不受限，中低端浸没式设备仍可出货
1月27日美日荷联合断供协议后，市场担忧ASML对华全面禁售浸没式DUV设备，从而影响中国28nm在内的晶圆厂的扩产。本次ASML官方表态与我们此前的预测基本一致，从各国实际商业利益出发，全面禁售浸没式DUV设备的可能性较小。2022年ASML共出货81台ArFiDUV，对应收入52.5亿欧元，占其设备总收入的34%，且其中较多为高毛利率的中国客户，ASML并不想完全失去这部分市场。其次，中国大陆成熟制程的扩产对美威胁性较低，全球半导体产业也需要利用大陆代工的成本优势，因而不会过度限制，ASML公告也为此作出背书，成熟制程客户可以继续使用中低端的浸没式设备。
优干悲观预期、先进制程或可希翼
光刻精度由雷利第一公式R=k1*λ/NA指导，其中R代表可分辨最小尺寸k1为工艺介质常数，与光刻胶的光强响应特性等因素相关。λ为光源波长DUV采用ArF光源，波长为193nm，加入纯水浸入技术实现等效134nm波长（EUV为13.5nm），NA为光学系统的数值孔径
从ASML公告理解的型号来看，2018年推出的TWINSCANNXT:2000i及之后更高阶的浸没式设备（现有的NXT2050i和之后的新品）均无法出货，但2015年推出的TWINSCANNXT:1980Di存有一线生机。在实际应用中，2000i套刻精度（overlay）高，和NXE:3400BEUV光刻机接近被视为EUV的良好补充，2050i在2000i的基础上进一步提高了生产效率而1980Di在波长、孔径都与中高端的设备一致，实现了1.35NA行业最高的数值孔径，且可靠性高。单次曝光的分辨率在38nm及以下，通过多次曝光理论上可以达到先进制程，但良率有所损失、成本高、且技术难度大目前1980Di主流用在成熟制程。但ASML保留了TWINSCANNXT:1980Di出货的可能性，也为前期展受制裁的半导体制造行业带来一线希望。
国内扩产以12英寸成熟制程为主，增速较快，Capex维持高位
根据我们对全球63家主流IDM/Foundry企业的产能统计，2021年末全球晶圆月产能2125万片（折合8英寸），2021-2024年以7%左右的增速增长。其中，内资产能326万片/月，占比约15%，到2024年有望增长至625万片/月，届时12英寸产能将达到155万片/月，保持30%以上的CAGR从国内在建项目看，中芯国际有34万片/月的产能在建，华虹、粤芯、晶合集成等均有产能在建，且以28nm及以上成熟制程为主。尽管全球WFE呈下滑态势，但在芯片安全的底色背景下，国内尚未见大幅削减资本开支的动作，中芯国际预期今年capex与2022年基本一致，仍维持高位
制裁情况逐渐明朗，多重事件催化情绪，长期看好自主可控投资主线
上周刘鹤副总理调研北京集成电路提及“新型举国体制”发展集成电路；大基金二期入股长江存储，扶持高端存储芯片攻坚克难；两会提及重组科技部，部分职责拟划入工信部等，由工信部引导产业规划及政策。多重事件强七了市场信心，我们在上月末提示，自主可控是长期的投资主线，半导体设备正处于估值底部区间，配置性价比凸显且安全边际较高。当前时点，我们认为市场情绪已起，应积极把握国产替代大浪潮下，设备、材料、零部件的投资机会。重点卡脖子、国产化率低的细分环节有望获得更大弹性，如光刻机零部件、光刻胶、涂胶显影、量测环节等
建议关注
1）半导体设备：北方华创（3月金股）、芯源微、拓荆科技、华海清科；
2）零部件：正帆科技、茂莱光学（光刻机零部件）、富创精密
3）半导体材料：华科技（光刻胶）、华特气体、雅克科技
风险提示
制裁进一步加剧、市场竞争加剧、半导体设备&材料研发不及预期，半导体下行周期下晶圆厂扩产乏力。